广东省泉光半导体有限公司

三极管2N7000属性：

制造商:  

QG

产品种类:  

MOSFET  

详细信息  

技术:  

Si  

安装风格:  

Through Hole  

封装 / 箱体:  

TO-92-3  

通道数量:  

1 Channel  

晶体管极性:  

N-Channel  

Vds-漏源极击穿电压:  

60 V  

Id-连续漏极电流:  

200 mA  

Rds On-漏源导通电阻:  

1.2 Ohms  

Vgs - 栅极-源极电压:  

20 V  

工作温度:  

- 55 C  

工作温度:  

+ 150 C  

配置:  

Single  

Pd-功率耗散:  

400 mW  

通道模式:  

Enhancement  

封装:  

Bulk  

高度:  

5.33 mm  

长度:  

5.2 mm  

产品:  

MOSFET Small Signal  

系列:  

2N7000  

晶体管类型:  

1 N-Channel  

类型:  

FET  

宽度:  

4.19 mm  

商标:  

ON Semiconductor  

正向跨导 - 值:  

0.1 S  

产品类型:  

MOSFET  

工厂包装数量:  

10000  

子类别:  

MOSFETs  

零件号别名:

2N7000_NL

单位重量:

201 mg

三极管说明

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。